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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPH3R114MC,L1Q(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AM3281RL
Bandes découpées46AM3281
Gamme de produitU-MOSVI Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,770 $ | 3,77 $ |
| Total Prix | 3,77 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,770 $ |
| 50+ | 3,310 $ |
| 100+ | 2,990 $ |
| 250+ | 2,670 $ |
| 500+ | 2,340 $ |
| 1000+ | 2,000 $ |
| 2500+ | 1,820 $ |
| 5000+ | 1,720 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPH3R114MC,L1Q(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant24 semaines
Code Commande
Mise en bobine46AM3281RL
Bandes découpées46AM3281
Gamme de produitU-MOSVI Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3100µohm
Transistor Case StyleWFSOP Advance
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation170W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSVI Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
WFSOP Advance
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
U-MOSVI Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
