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XPQ1R004PB,LXHQ(O
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, L-TOGL
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine69AK1347RL
Bandes découpées69AK1347
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Votre numéro de pièce
8 829 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,550 $ | 4,55 $ |
| Total Prix | 4,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,550 $ |
| 50+ | 4,020 $ |
| 100+ | 3,680 $ |
| 250+ | 3,330 $ |
| 500+ | 2,900 $ |
| 1000+ | 2,300 $ |
| 2500+ | 2,170 $ |
| 5000+ | 2,040 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine69AK1347RL
Bandes découpées69AK1347
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation230W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit