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XPQ1R004PB,LXHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 200 A, 800 µohm, L-TOGL, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(O
Code Commande69AK1347
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,560 $ |
| 10+ | 3,150 $ |
| 25+ | 2,880 $ |
| 50+ | 2,600 $ |
| 100+ | 2,270 $ |
| 250+ | 1,800 $ |
| 500+ | 1,700 $ |
| 1000+ | 1,600 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,56 $
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQ1R004PB,LXHQ(O
Code Commande69AK1347
Gamme de produitU-MOSIX-H Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance800µohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation230W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeU-MOSIX-H Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
9Pins
Product Range
U-MOSIX-H Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit