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XPQR8308QB,LXHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,440 $ |
| 10+ | 9,210 $ |
| 25+ | 8,440 $ |
| 50+ | 7,640 $ |
| 100+ | 6,630 $ |
| 250+ | 5,270 $ |
| 500+ | 4,990 $ |
| 1000+ | 4,700 $ |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQR8308QB,LXHQ(O
Code Commande80AK5536
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source On State Resistance0.65ohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation750W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.65ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
9Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
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