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XPQR8308QB,LXHQ(O
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 350 A, 0.65 ohm, L-TOGL, Surface Mount
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQR8308QB,LXHQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5536RL
Bandes découpées80AK5536
Votre numéro de pièce
12 119 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,850 $ | 10,85 $ |
| Total Prix | 10,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,850 $ |
| 50+ | 9,570 $ |
| 100+ | 8,780 $ |
| 250+ | 7,940 $ |
| 500+ | 6,900 $ |
| 1000+ | 5,470 $ |
| 2500+ | 5,200 $ |
| 5000+ | 4,880 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantXPQR8308QB,LXHQ(OCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine80AK5536RL
Bandes découpées80AK5536
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id350A
Drain Source On State Resistance0.65ohm
Transistor Case StyleL-TOGL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation750W
No. of Pins9Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
350A
Transistor Case Style
L-TOGL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.65ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
9Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit