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UF3C065030B3
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 65 A, 650 V, 27 mohm, D2PAK
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,870 $ |
| 10+ | 14,870 $ |
| 25+ | 14,870 $ |
| 50+ | 14,870 $ |
| 100+ | 14,870 $ |
| 250+ | 14,870 $ |
| 500+ | 14,870 $ |
| 1600+ | 14,870 $ |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3C065030B3
Code Commande47AK1745
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id65A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleD2PAK
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation Pd242W
Power Dissipation242W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
242W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
65A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Case Style
D2PAK
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation Pd
242W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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