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UF3SC065007K4S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 120 A, 650 V, 0.0067 ohm, TO-247
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantUF3SC065007K4S
Code Commande47AK1764
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.0067ohm
Drain Source On State Resistance6700µohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max4.7V
Power Dissipation Pd789W
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
6700µohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.7V
Power Dissipation
789W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
On Resistance Rds(on)
0.0067ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation Pd
789W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit