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SI2308BDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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| 500+ | 0,281 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2308BDS-T1-GE3
Code Commande16P3708
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Drain Source On State Resistance0.156ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.09W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation1.09W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI2308BDS-T1-GE3 is a N-channel TrenchFET® Power MOSFET with 175°C operating temperature.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±20V Gate-source voltage
Applications
Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Power Dissipation Pd
1.09W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits