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BPW77NA
Phototransistor, 850 nm, 10 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,880 $ |
| 10+ | 3,150 $ |
| 25+ | 2,960 $ |
| 50+ | 2,810 $ |
| 100+ | 2,650 $ |
| 500+ | 2,420 $ |
| 1000+ | 2,410 $ |
| 2500+ | 2,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
4,88 $
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Aperçu du produit
The BPW77NA is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in hermetically sealed. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- ±10° Angle of half sensitivity
Applications
Sensing & Instrumentation
Spécifications techniques
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
10°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (3)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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