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BPW85A
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,673 $ |
| 10+ | 0,494 $ |
| 25+ | 0,462 $ |
| 50+ | 0,427 $ |
| 100+ | 0,394 $ |
| 500+ | 0,351 $ |
| 1000+ | 0,327 $ |
| 2500+ | 0,324 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
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Aperçu du produit
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 2.5mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Spécifications techniques
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
50°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BPW85A
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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