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BPW85C
Phototransistor, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pins, T-1 (3mm)
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBPW85CCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande32C9163
Votre numéro de pièce
10 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 0,366 $ |
| 10000+ | 0,307 $ |
| 15000+ | 0,304 $ |
| 25000+ | 0,300 $ |
| 50000+ | 0,295 $ |
| 125000+ | 0,288 $ |
| 250000+ | 0,282 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5000
Multiple: 5000
1 830,00 $
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Informations produit
Aperçu du produit
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
Applications
Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
Spécifications techniques
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
100mW
Transistor Case Style
T-1 (3mm)
MSL
-
Viewing Angle
25°
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (16-Jan-2020)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BPW85C
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (16-Jan-2020)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits