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IRF510PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,953 $ |
| 10+ | 0,953 $ |
| 25+ | 0,881 $ |
| 50+ | 0,880 $ |
| 100+ | 0,817 $ |
| 500+ | 0,763 $ |
| 1000+ | 0,751 $ |
| 2500+ | 0,730 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF510PBF
Code Commande63J7301
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id5.6A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd43W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF510PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.
- Dynamic dV/dt Rating
- Repetitive Avalanche Rated
- Fast Switching
- Ease of Paralleling
- Simple Drive Requirements
Applications
Audio, Signal Processing, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
43W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.6A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
43W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits