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IRF620PBF
MOSFET Transistor, N Channel, 5.2 A, 200
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande38K2812
Votre numéro de pièce
88 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 1,890 $ |
| 100+ | 1,690 $ |
| 500+ | 1,530 $ |
| 1000+ | 1,210 $ |
| 2500+ | 1,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,21 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF620PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande38K2812
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance0.8ohm
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd50W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
50W
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit