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IRF630PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9 A, 400 mohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,190 $ |
| 10+ | 1,700 $ |
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| 50+ | 1,550 $ |
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| 500+ | 1,300 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF630PBFCopie
Code Commande31K2169
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance400mohm
On Resistance Rds(on)0.4ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd74W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF630PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
400mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
74W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.4ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF630PBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits