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IRF640PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF640PBF-BE3Copie
Code Commande78AH6378
Gamme de produitIRF640 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,720 $ |
| 10+ | 2,060 $ |
| 25+ | 1,950 $ |
| 50+ | 1,840 $ |
| 100+ | 1,740 $ |
| 500+ | 1,630 $ |
| 1000+ | 1,560 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF640PBF-BE3Copie
Code Commande78AH6378
Gamme de produitIRF640 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeIRF640 Series
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRF640 Series
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits