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IRF820LPBF

Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-262, Through Hole

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Fabricant	VISHAY
Réf. Fabricant	IRF820LPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Code Commande	31K2304
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Fabricant	VISHAY
Réf. Fabricant	IRF820LPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Code Commande	31K2304
Fiche technique	Data Sheet
Channel Type	N Channel
Drain Source Voltage Vds	500V
Continuous Drain Current Id	2.5A
Drain Source On State Resistance	3ohm
Transistor Case Style	TO-262
Rds(on) Test Voltage	10V
Gate Source Threshold Voltage Max	4V
Power Dissipation	50W
No. of Pins	3Pins
Operating Temperature Max	150°C
SVHC	To Be Advised

Channel Type	N Channel
Continuous Drain Current Id	2.5A
Transistor Case Style	TO-262
Gate Source Threshold Voltage Max	4V
No. of Pins	3Pins
SVHC	To Be Advised

Drain Source Voltage Vds	500V
Drain Source On State Resistance	3ohm
Rds(on) Test Voltage	10V
Power Dissipation	50W
Operating Temperature Max	150°C

IRF820LPBF Data Sheet

Product Change Notice EN

US ECCN:	EAR99
EU ECCN:	Unknown
Conforme RoHS :	Y-Ex RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:	À déterminer
SVHC :	To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit	Certificat de conformité du produit