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IRF820PBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.5 A, 3 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF820PBF-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande78AH6382
Gamme de produitIRF820 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,760 $ |
| 10+ | 1,410 $ |
| 100+ | 1,270 $ |
| 500+ | 1,130 $ |
| 1000+ | 1,030 $ |
| 2500+ | 0,955 $ |
| 10000+ | 0,935 $ |
Prix pour :Each
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF820PBF-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande78AH6382
Gamme de produitIRF820 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source On State Resistance3ohm
On Resistance Rds(on)3ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd50W
Power Dissipation50W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIRF820 Series
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
50W
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRF820 Series
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.5A
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
50W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits