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IRF830APBF.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 5 A, 1.4 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,520 $ |
| 2500+ | 1,490 $ |
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Minimum: 1000
Multiple: 1000
1 520,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF830APBF.Copie
Code Commande27AC6908
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)1.4ohm
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd74W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF830APBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
1.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
74W
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit