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IRF830PBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,940 $ |
| 10+ | 1,730 $ |
| 25+ | 1,300 $ |
| 50+ | 1,260 $ |
| 100+ | 1,230 $ |
| 500+ | 1,080 $ |
| 1000+ | 1,070 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF830PBF
Code Commande63J7409
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id4.5A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd74W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF830PBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.
- Dynamic dv/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 150°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
74W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.5A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
74W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits