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IRF840APBF-BE3
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF840APBF-BE3
Code Commande78AH6385
Gamme de produitIRF840A Series
Fiche technique
821 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,500 $ |
| 10+ | 1,500 $ |
| 25+ | 1,500 $ |
| 50+ | 1,500 $ |
| 100+ | 1,500 $ |
| 500+ | 1,500 $ |
| 1000+ | 1,500 $ |
| 2500+ | 1,500 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF840APBF-BE3
Code Commande78AH6385
Gamme de produitIRF840A Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeIRF840A Series
Qualification-
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
IRF840A Series
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits