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IRF840APBF.
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 1,820 $ |
| 2500+ | 1,800 $ |
| 5000+ | 1,790 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
1 820,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF840APBF.Copie
Code Commande26AC0652
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.85ohm
Drain Source On State Resistance0.85ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Transistor Case StyleTO-220
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF840APBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with ultra-low gate charge.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and Avalanche voltage and current
- Effective COSS specified
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.85ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.85ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit