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IRF9630PBF-BE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Through Hole
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9630PBF-BE3
Code Commande06AJ9176
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id6.5A
On Resistance Rds(on)0.8ohm
Drain Source On State Resistance0.8ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation74W
Power Dissipation Pd74W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.8ohm
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
74W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Drain Source On State Resistance
0.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
74W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits