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IRF9640PBF
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
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| 10+ | 1,770 $ |
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| 50+ | 1,510 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 500+ | 1,310 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF9640PBF
Code Commande63J7436
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.5ohm
On Resistance Rds(on)0.5ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd125W
Transistor Case StyleTO-220AB
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRF9640PBF is a -200V P-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- 175°C Operating temperature
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
125W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.5ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit