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IRFI640GPBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Through Hole
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFI640GPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande63J6771
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 27 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 3,340 $ |
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Minimum: 1000
Multiple: 1000
3 340,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFI640GPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande63J6771
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id9.8A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd40W
Transistor Case StyleTO-220FP
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation40W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
- Isolated package
- 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
- 4.8mm Sink to lead creepage distance
- Dynamic dV/dt rating
- Low thermal resistance
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
40W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.8A
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation
40W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit