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IRFIB7N50APBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 3,660 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1000
Multiple: 1000
3 660,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFIB7N50APBF
Code Commande63J6740
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6.6A
Drain Source On State Resistance0.52ohm
On Resistance Rds(on)0.52ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd60W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTO-220FP
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.52ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.6A
On Resistance Rds(on)
0.52ohm
Power Dissipation Pd
60W
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit