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IRFL110TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFL110TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant33 semaines
Code Commande
Bobine complète76M9226
Bobine complète86AK5295
Mise en bobine60AC3691RL
Bandes découpées60AC3691
Votre numéro de pièce
1 365 En Stock
1 365 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,990 $ | 1,99 $ |
| Total Prix | 1,99 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
| 250+ | 1,370 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,010 $ |
| 2500+ | 0,804 $ |
| 5000+ | 0,758 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,931 $ |
| 5000+ | 0,526 $ |
| 7500+ | 0,913 $ |
| 10000+ | 0,494 $ |
| 12500+ | 0,893 $ |
| 20000+ | 0,468 $ |
| 30000+ | 0,444 $ |
| 50000+ | 0,430 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFL110TRPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant33 semaines
Code Commande
Bobine complète76M9226
Bobine complète86AK5295
Mise en bobine60AC3691RL
Bandes découpées60AC3691
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.5A
Drain Source On State Resistance0.54ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation3.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The IRFL110TRPBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rating
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.54ohm
Transistor Case Style
SOT-223
Power Dissipation Pd
2W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.5A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFL110TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit