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IRFP250PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 30 A, 85 mohm, TO-247, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,770 $ |
| 10+ | 5,480 $ |
| 25+ | 5,270 $ |
| 50+ | 5,080 $ |
| 100+ | 4,870 $ |
| 500+ | 4,720 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFP250PBF
Code Commande63J6860
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance85mohm
On Resistance Rds(on)0.085ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd190W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFP250PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- Isolated central mounting hole
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
85mohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.085ohm
Power Dissipation Pd
190W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits