Imprimer la page
IRFP450PBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 14 A, 0.4 ohm, TO-247, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
1 089 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,440 $ |
| 10+ | 5,380 $ |
| 25+ | 3,700 $ |
| 50+ | 3,630 $ |
| 100+ | 3,560 $ |
| 500+ | 3,150 $ |
| 1000+ | 3,020 $ |
| 2500+ | 2,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,44 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFP450PBF
Code Commande63J6887
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.4ohm
On Resistance Rds(on)0.4ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd190W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFP450PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- Isolated central mounting hole
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
On Resistance Rds(on)
0.4ohm
Power Dissipation Pd
190W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
Produits associés
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit