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Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 3,300 $ |
10+ | 3,300 $ |
25+ | 3,050 $ |
50+ | 3,050 $ |
100+ | 2,830 $ |
500+ | 2,650 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFP9140PBF
Code Commande19K8174
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.2ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd180W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation180W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFP9140PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Easy to parallel
- Simple drive requirement
- Isolated central mounting hole
- Fast switching
- 175°C Operating temperature
Applications
Power Management, Commercial, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
21A
On Resistance Rds(on)
0.2ohm
Power Dissipation Pd
180W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
180W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits