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IRFR210PBF
MOSFET, N-CH, 200V, 2.6A, 150DEG C, 25W
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFR210PBFCopie
Code Commande38K2607
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance1.5ohm
On Resistance Rds(on)1.5ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd25W
Power Dissipation25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour IRFR210PBF
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
- N-channel power MOSFET in DPAK (TO-252) package
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Fast switching
- Ease of paralleling
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
1.5ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
25W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
1.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit