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IRFRC20PBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2 A, 4.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFRC20PBFCopie
Code Commande63J6899
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance4.4ohm
On Resistance Rds(on)4.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd42W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Easy to parallel
- Fast switching
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
4.4ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
42W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2A
On Resistance Rds(on)
4.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits