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IRFS9N60APBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFS9N60APBFCopie
Code Commande63J7040
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits