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IRFS9N60ATRLPBF
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFS9N60ATRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine05W6866
Bandes découpées05W6866
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 800 | 3,810 $ | 3 048,00 $ |
| Total Prix | 3 048,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 800+ | 3,810 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFS9N60ATRLPBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant31 semaines
Code Commande
Mise en bobine05W6866
Bandes découpées05W6866
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
On Resistance Rds(on)0.75ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd170W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
On Resistance Rds(on)
0.75ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
170W
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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