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IRFU320PBF
Power MOSFET, N Channel, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251, Through Hole
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,300 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 3000
Multiple: 3000
3 900,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFU320PBF
Code Commande63J7066
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds400V
Continuous Drain Current Id3.1A
On Resistance Rds(on)1.8ohm
Drain Source On State Resistance1.8ohm
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd42W
Transistor Case StyleTO-251
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
On Resistance Rds(on)
1.8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
42W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Drain Source On State Resistance
1.8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-251
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit