Imprimer la page
IRFZ40PBF
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220, Through Hole
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFZ40PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande19K8198
Votre numéro de pièce
534 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,500 $ |
| 10+ | 2,970 $ |
| 100+ | 2,630 $ |
| 500+ | 2,430 $ |
| 1000+ | 2,300 $ |
| 2500+ | 2,190 $ |
| 5000+ | 2,170 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,50 $
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFZ40PBFCopie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant46 semaines
Code Commande19K8198
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds50V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFZ40PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
50V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits