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IRFZ44PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,350 $ |
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| 50+ | 2,380 $ |
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| 500+ | 2,190 $ |
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| 2500+ | 2,080 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFZ44PBFCopie
Code Commande63J7135
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.028ohm
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd150W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleTO-220AB
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCLead
Aperçu du produit
The IRFZ44PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applications
Industrial, Power Management, Commercial
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Power Dissipation Pd
150W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRFZ44PBF
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits