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MXP120A250SE-T1GE3
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, TO-263
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXP120A250SE-T1GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande16AN4144
Gamme de produitMaxSiC Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,740 $ |
| 10+ | 6,750 $ |
| 25+ | 5,940 $ |
| 50+ | 5,590 $ |
| 100+ | 4,890 $ |
| 250+ | 4,140 $ |
| 500+ | 4,020 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,74 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantMXP120A250SE-T1GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande16AN4144
Gamme de produitMaxSiC Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.313ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation85W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeMaxSiC Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
12A
Drain Source On State Resistance
0.313ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
85W
Product Range
MaxSiC Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit