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195 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,445 $ |
| 10+ | 0,267 $ |
| 25+ | 0,233 $ |
| 50+ | 0,198 $ |
| 100+ | 0,163 $ |
| 250+ | 0,160 $ |
| 500+ | 0,156 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
2,22 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1013CX-T1-GE3
Code Commande57AJ0419
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id450mA
Drain Source On State Resistance0.63ohm
On Resistance Rds(on)0.63ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation190mW
Power Dissipation Pd190mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.63ohm
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
190mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
450mA
On Resistance Rds(on)
0.63ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
190mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI1013CX-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits