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SI1024X-T1-GE3
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 485 mA, 0.7 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1024X-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète29X0509
Mise en bobine49AM1980RL
Bandes découpées49AM1980
Votre numéro de pièce
Modèle arrêté
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1024X-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète29X0509
Mise en bobine49AM1980RL
Bandes découpées49AM1980
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel485mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
485mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit