Imprimer la page
SI1308EDL-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 0.132 ohm, SOT-323, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1308EDL-T1-GE3
Code Commande05AC7745
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
3 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,694 $ |
| 25+ | 0,493 $ |
| 50+ | 0,401 $ |
| 100+ | 0,308 $ |
| 250+ | 0,304 $ |
| 500+ | 0,298 $ |
| 1000+ | 0,272 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,69 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1308EDL-T1-GE3
Code Commande05AC7745
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Drain Source On State Resistance0.132ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd500mW
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-323
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI1308EDL-T1-GE3 is a 30V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with power dissipation at 500mW.
- PWM optimized for fast switching
- 100% Rg Tested
- Up to 1800V ESD protection
- Halogen-free
Applications
Power Management, Industrial
Avertissements
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Drain Source On State Resistance
0.132ohm
Power Dissipation Pd
500mW
Transistor Case Style
SOT-323
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1308EDL-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits