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SI1317DL-T1-GE3
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1317DL-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6264
Mise en bobine64T4051RL
Bandes découpées64T4051
Votre numéro de pièce
7 496 En Stock
7 496 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,329 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,64 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,917 $ |
| 15+ | 0,591 $ |
| 25+ | 0,580 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,329 $ |
| 9000+ | 0,315 $ |
| 15000+ | 0,283 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1317DL-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6264
Mise en bobine64T4051RL
Bandes découpées64T4051
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.15ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI1317DL-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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