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SI1401EDH-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 4 A, 0.028 ohm, SC-70, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-BE3
Code Commande36AJ8051
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
2 020 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,148 $ |
| 10+ | 0,148 $ |
| 25+ | 0,148 $ |
| 50+ | 0,148 $ |
| 100+ | 0,148 $ |
| 250+ | 0,148 $ |
| 500+ | 0,148 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,15 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-BE3
Code Commande36AJ8051
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.028ohm
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Transistor Case StyleSC-70
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation2.8W
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.028ohm
Transistor Case Style
SC-70
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI1401EDH-T1-BE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits