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SI1401EDH-T1-GE3
MOSFET, P CH, -12V, -4A, SOT-363
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97W2622
Votre numéro de pièce
21 715 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,996 $ |
| 10+ | 0,690 $ |
| 25+ | 0,584 $ |
| 50+ | 0,476 $ |
| 100+ | 0,410 $ |
| 500+ | 0,355 $ |
| 1000+ | 0,313 $ |
| 2500+ | 0,290 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
4,98 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1401EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande97W2622
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.072ohm
Drain Source On State Resistance0.034ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.8W
Rds(on) Test Voltage1.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
On Resistance Rds(on)
0.072ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
1.5V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI1401EDH-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit