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SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 3.9A, SOT-363-6
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1416EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Mise en bobine37AJ0968RL
Bandes découpées37AJ0968
Votre numéro de pièce
7 102 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,974 $ | 0,97 $ |
| Total Prix | 0,97 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,974 $ |
| 50+ | 0,445 $ |
| 100+ | 0,393 $ |
| 250+ | 0,348 $ |
| 500+ | 0,302 $ |
| 1000+ | 0,296 $ |
| 2500+ | 0,289 $ |
| 5000+ | 0,284 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1416EDH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant25 semaines
Code Commande
Mise en bobine37AJ0968RL
Bandes découpées37AJ0968
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.047ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1416EDH-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit