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SI1424EDH-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, W/D, 20V, 4A, SOT363
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1424EDH-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète53T5223
Mise en bobine64T4052
Bandes découpées64T4052
Votre numéro de pièce
2 825 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,903 $ | 4,52 $ |
| Total Prix | 4,52 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,903 $ |
| 10+ | 0,554 $ |
| 25+ | 0,487 $ |
| 50+ | 0,420 $ |
| 100+ | 0,353 $ |
| 250+ | 0,331 $ |
| 500+ | 0,309 $ |
| 1000+ | 0,287 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,254 $ |
| 5000+ | 0,241 $ |
| 10000+ | 0,214 $ |
| 20000+ | 0,192 $ |
| 30000+ | 0,179 $ |
| 50000+ | 0,165 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1424EDH-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète53T5223
Mise en bobine64T4052
Bandes découpées64T4052
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance33mohm
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.8W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI1424EDH-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switching and battery switch applications.
- 4000V ESD performance
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
33mohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI1424EDH-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits