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SI1425DH-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 3A, SOT-363
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1425DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2339RL
Bandes découpées22AM2339
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
6 049 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,543 $ | 2,72 $ |
| Total Prix | 2,72 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,543 $ |
| 10+ | 0,417 $ |
| 15+ | 0,348 $ |
| 25+ | 0,291 $ |
| 50+ | 0,245 $ |
| 125+ | 0,209 $ |
| 250+ | 0,170 $ |
| 500+ | 0,145 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1425DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2339RL
Bandes découpées22AM2339
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit