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SI1441EDH-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 4 A, 0.041 ohm, SOT-363, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,291 $ |
| 5000+ | 0,284 $ |
| 10000+ | 0,262 $ |
| 20000+ | 0,245 $ |
| 30000+ | 0,228 $ |
| 50000+ | 0,218 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
873,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1441EDH-T1-GE3
Code Commande65T1684
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id4A
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.8W
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit