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SI1442DH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 12V, 4A, SOT-363
3 300 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 0,865 $ | 4,32 $ |
| Total Prix | 4,32 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,865 $ |
| 10+ | 0,418 $ |
| 15+ | 0,407 $ |
| 25+ | 0,398 $ |
| 50+ | 0,386 $ |
| 125+ | 0,375 $ |
| 250+ | 0,336 $ |
| 500+ | 0,296 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1442DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine57AJ0426RL
Bandes découpées57AJ0426
Gamme de produitTrench
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
On Resistance Rds(on)0.017ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation2.8W
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrench
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
Trench
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
On Resistance Rds(on)
0.017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation Pd
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1442DH-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit