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SI1480DH-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 2.6A, SOT-363
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1480DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande19X1958
Votre numéro de pièce
2 885 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,904 $ |
| 10+ | 0,521 $ |
| 100+ | 0,424 $ |
| 500+ | 0,316 $ |
| 1000+ | 0,281 $ |
| 2500+ | 0,254 $ |
| 10000+ | 0,227 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
0,90 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1480DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande19X1958
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.161ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.8W
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.161ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit