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SI1480DH-T1-GE3
MOSFET Transistor, N Channel, 2.6 A, 100 V, 0.161 ohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
89 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,362 $ |
| 10+ | 0,295 $ |
| 25+ | 0,283 $ |
| 50+ | 0,269 $ |
| 100+ | 0,256 $ |
| 500+ | 0,253 $ |
| 1000+ | 0,242 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
1,81 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1480DH-T1-GE3
Code Commande19X1958
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.161ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation2.8W
Power Dissipation Pd2.8W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.161ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation Pd
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits