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SI1553CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1553CDL-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète96AJ0102
Mise en bobine70AC6491
Bandes découpées70AC6491
Votre numéro de pièce
6 530 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,050 $ | 1,05 $ |
| Total Prix | 1,05 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,675 $ |
| 50+ | 0,565 $ |
| 100+ | 0,455 $ |
| 250+ | 0,408 $ |
| 500+ | 0,360 $ |
| 1000+ | 0,330 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,226 $ |
| 6000+ | 0,216 $ |
| 12000+ | 0,203 $ |
| 18000+ | 0,192 $ |
| 30000+ | 0,180 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1553CDL-T1-GE3Copie
Code Commande
Bobine complète96AJ0102
Mise en bobine70AC6491
Bandes découpées70AC6491
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.325ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.325ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel340mW
Power Dissipation P Channel340mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (16-Jan-2020)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.325ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
340mW
Qualification
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
700mA
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.325ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (16-Jan-2020)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI1553CDL-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (16-Jan-2020)
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Certificat de conformité du produit
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