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SI1902CDL-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 1.1 A, 23.5 mohm
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57 000 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,265 $ |
| 5000+ | 0,252 $ |
| 10000+ | 0,227 $ |
| 20000+ | 0,208 $ |
| 30000+ | 0,195 $ |
| 50000+ | 0,181 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
795,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1902CDL-T1-GE3.
Code Commande23AC9590
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel1.1A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel23.5mohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel420mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
23.5mohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
420mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit